يمكن تقسيم مستشعرات ضغط أشباه الموصلات إلى فئتين ، ويستند إحداها على مبدأ أن خصائص I-υ لأشباه الموصلات PN تتغير (أو تقاطع Schottky) تحت الضغط. أداء هذا العنصر الحساس للضغط غير مستقر للغاية ولم يتم تطويره بشكل كبير. والآخر هو المستشعر القائم على تأثير piezoresistive أشباه الموصلات ، وهو النوع الرئيسي من مستشعر ضغط أشباه الموصلات. في الأيام الأولى ، تم ربط مقاييس سلالة أشباه الموصلات في الغالب بالعناصر المرنة لجعل أدوات قياس الإجهاد والضغط المختلفة. في الستينيات من القرن الماضي ، مع تطوير تقنية الدوائر المتكاملة لأشباه الموصلات ، ظهر مستشعر ضغط أشباه الموصلات مع مقاوم الانتشار كعنصر piezoresive. يحتوي هذا النوع من مستشعرات الضغط على بنية بسيطة وموثوقة ، ولا توجد أجزاء متحركة نسبية ، ويتم دمج العنصر الحساس للضغط والعنصر المرن في المستشعر ، مما يتجنب التأخير الميكانيكي والزحف ويحسن أداء المستشعر.

التأثير piezoresistive لأشباه الموصلات شبه الموصل له خاصية تتعلق بالقوة الخارجية ، أي أن المقاومة (الممثلة برمز ρ) تتغير مع الإجهاد الذي يحمله ، والذي يسمى تأثير piezoresistive. يُطلق على التغيير النسبي للمقاومة تحت عمل إجهاد الوحدة معامل piezoresistive ، والذي يعبر عنه الرمز π. معبر عنها رياضيا كما ρ/ρ = π σ.

حيث يمثل الإجهاد. يتم تحديد تغيير قيمة المقاومة (R/R) الناتجة عن مقاومة أشباه الموصلات تحت الإجهاد بشكل أساسي من خلال تغيير المقاومة ، وبالتالي يمكن أيضًا كتابة التعبير عن التأثير piezoresistive على أنه R/R = πσ.

في ظل عمل القوة الخارجية ، يتم إنشاء بعض الإجهاد (σ) والسلالة (ε) في بلورات أشباه الموصلات ، ويتم تحديد العلاقة بينهما بواسطة معامل يونغ (y) للمادة ، أي ، y = σ/ε.

إذا تم التعبير عن تأثير piezoresistive من خلال الضغط على أشباه الموصلات ، فهو R/R = Gε.

يسمى G عامل حساسية مستشعر الضغط ، والذي يمثل التغير النسبي لقيمة المقاومة تحت سلالة الوحدة.

عامل المعامل أو الحساسية piezoresistive هو المعلمة المادية الأساسية لتأثير piezoresoristive شبه الموصل. يتم تحديد العلاقة بينهما ، تمامًا مثل العلاقة بين الإجهاد والضغط ، من خلال معامل الشباب للمادة ، أي G = π y.

بسبب تباين بلورات أشباه الموصلات في المرونة ، فإن معامل يونغ وتغير معامل piezoresistive مع اتجاه البلورة. يرتبط حجم التأثير piezoresistive أشباه الموصلات ارتباطًا وثيقًا بمقاومة أشباه الموصلات. كلما انخفضت المقاومة ، كلما كان عامل الحساسية أصغر. يتم تحديد التأثير piezoresistive لمقاومة الانتشار من خلال الاتجاه البلوري وتركيز الشوائب لمقاومة الانتشار. يشير تركيز الشوائب بشكل أساسي إلى تركيز الشوائب السطحية لطبقة الانتشار.